| メーカー | |
| メーカー部品番号 | JANS2N2219A |
| EBEE部品番号 | E83201210 |
| パッケージ | TO-39(TO-205AD) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 50V 800W 100@150mA,10V 800mA NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $183.2175 | $ 183.2175 |
| 200+ | $70.9022 | $ 14180.4400 |
| 500+ | $68.4110 | $ 34205.5000 |
| 1000+ | $67.1796 | $ 67179.6000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| データシート | MICROCHIP JANS2N2219A | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | 800mA | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 800W | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 10nA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 50V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| トランジション周波数(fT) | - | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 1V@500mA,50mA | |
| トランジスタタイプ | NPN |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $183.2175 | $ 183.2175 |
| 200+ | $70.9022 | $ 14180.4400 |
| 500+ | $68.4110 | $ 34205.5000 |
| 1000+ | $67.1796 | $ 67179.6000 |
