RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $68.0312 | $ 68.0312 |
| 200+ | $26.3271 | $ 5265.4200 |
| 500+ | $25.4026 | $ 12701.3000 |
| 1000+ | $24.9448 | $ 24944.8000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -65℃~+200℃ | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 360mW | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 400nA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 15V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 20@100mA,1V | |
| トランジション周波数(fT) | - | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 450mV@100mA,10mA | |
| トランジスタタイプ | NPN |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $68.0312 | $ 68.0312 |
| 200+ | $26.3271 | $ 5265.4200 |
| 500+ | $25.4026 | $ 12701.3000 |
| 1000+ | $24.9448 | $ 24944.8000 |
