| メーカー | |
| メーカー部品番号 | JAN2N6338 |
| EBEE部品番号 | E83201151 |
| パッケージ | TO-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 100V 200W 30@10A,2V NPN TO-3 Bipolar (BJT) ROHS |
RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $300.7124 | $ 300.7124 |
| 200+ | $116.3717 | $ 23274.3400 |
| 500+ | $112.2835 | $ 56141.7500 |
| 1000+ | $110.2623 | $ 110262.3000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| データシート | MICROCHIP JAN2N6338 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | - | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 200W | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 50uA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 100V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 30@10A,2V | |
| トランジション周波数(fT) | - | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 1.8V@25A,2.5A | |
| トランジスタタイプ | NPN |
RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $300.7124 | $ 300.7124 |
| 200+ | $116.3717 | $ 23274.3400 |
| 500+ | $112.2835 | $ 56141.7500 |
| 1000+ | $110.2623 | $ 110262.3000 |
