| メーカー | |
| メーカー部品番号 | JAN2N5415S |
| EBEE部品番号 | E86644235 |
| パッケージ | TO-39(TO-205AD) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 200V 750mW 30@50mA,10V 1A PNP TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $29.1925 | $ 29.1925 |
| 200+ | $11.6492 | $ 2329.8400 |
| 500+ | $11.2587 | $ 5629.3500 |
| 1000+ | $11.0670 | $ 11067.0000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| データシート | MICROCHIP JAN2N5415S | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | 1A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 750mW | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 1mA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 200V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 30@50mA,10V | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 2V@5mA,50mA | |
| トランジスタタイプ | PNP |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $29.1925 | $ 29.1925 |
| 200+ | $11.6492 | $ 2329.8400 |
| 500+ | $11.2587 | $ 5629.3500 |
| 1000+ | $11.0670 | $ 11067.0000 |
