| メーカー | |
| メーカー部品番号 | JAN2N3019S |
| EBEE部品番号 | E87211506 |
| パッケージ | TO-39 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 80V 800mW 50@500mA,10V 1A NPN TO-39 Bipolar (BJT) ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $47.4228 | $ 47.4228 |
| 200+ | $18.9224 | $ 3784.4800 |
| 500+ | $18.2898 | $ 9144.9000 |
| 1000+ | $17.9778 | $ 17977.8000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| データシート | MICROCHIP JAN2N3019S | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | 1A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 800mW | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 10uA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 80V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 50@500mA,10V | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 500mV@50mA,500mA | |
| トランジスタタイプ | NPN |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $47.4228 | $ 47.4228 |
| 200+ | $18.9224 | $ 3784.4800 |
| 500+ | $18.2898 | $ 9144.9000 |
| 1000+ | $17.9778 | $ 17977.8000 |
