RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $983.2279 | $ 983.2279 |
| 200+ | $380.4956 | $ 76099.1200 |
| 500+ | $367.1253 | $ 183562.6500 |
| 1000+ | $360.5173 | $ 360517.3000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | 100mA | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 400mW | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 10uA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 20V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 70@1mA,500mV | |
| トランジション周波数(fT) | - | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | - | |
| トランジスタタイプ | PNP |
RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $983.2279 | $ 983.2279 |
| 200+ | $380.4956 | $ 76099.1200 |
| 500+ | $367.1253 | $ 183562.6500 |
| 1000+ | $360.5173 | $ 360517.3000 |
