RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $325.3839 | $ 325.3839 |
| 200+ | $125.9198 | $ 25183.9600 |
| 500+ | $121.4944 | $ 60747.2000 |
| 1000+ | $119.3084 | $ 119308.4000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | 30mA | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 400mW | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 10nA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 60V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 60@500uA,5V | |
| トランジション周波数(fT) | - | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 300mV@10mA,500uA | |
| トランジスタタイプ | PNP |
RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $325.3839 | $ 325.3839 |
| 200+ | $125.9198 | $ 25183.9600 |
| 500+ | $121.4944 | $ 60747.2000 |
| 1000+ | $119.3084 | $ 119308.4000 |
