| メーカー | |
| メーカー部品番号 | JAN2N1613L |
| EBEE部品番号 | E83201346 |
| パッケージ | TO-5 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 30V 800mW 40@150mA,10V 500mA NPN TO-5 Bipolar (BJT) ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $308.0940 | $ 308.0940 |
| 200+ | $119.2286 | $ 23845.7200 |
| 500+ | $115.0391 | $ 57519.5500 |
| 1000+ | $112.9683 | $ 112968.3000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| データシート | MICROCHIP JAN2N1613L | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | 500mA | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 800mW | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 10uA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 30V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 40@150mA,10V | |
| トランジション周波数(fT) | - | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 1.5V@150mA,15mA | |
| トランジスタタイプ | NPN |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $308.0940 | $ 308.0940 |
| 200+ | $119.2286 | $ 23845.7200 |
| 500+ | $115.0391 | $ 57519.5500 |
| 1000+ | $112.9683 | $ 112968.3000 |
