RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $484.3238 | $ 484.3238 |
| 200+ | $187.4283 | $ 37485.6600 |
| 500+ | $180.8416 | $ 90420.8000 |
| 1000+ | $177.5855 | $ 177585.5000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | 5A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 1.2W | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 200nA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 200V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 40@1A,5V | |
| トランジション周波数(fT) | - | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 1V@5A,1A | |
| トランジスタタイプ | NPN |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $484.3238 | $ 484.3238 |
| 200+ | $187.4283 | $ 37485.6600 |
| 500+ | $180.8416 | $ 90420.8000 |
| 1000+ | $177.5855 | $ 177585.5000 |
