| メーカー | |
| メーカー部品番号 | 2N5416S |
| EBEE部品番号 | E83201228 |
| パッケージ | TO-39(TO-205AD) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 300V 750mW 30@50mA,10V PNP TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $89.7856 | $ 89.7856 |
| 200+ | $34.7467 | $ 6949.3400 |
| 500+ | $33.5260 | $ 16763.0000 |
| 1000+ | $32.9225 | $ 32922.5000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| データシート | MICROCHIP 2N5416S | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | - | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 750mW | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 50uA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 300V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 30@50mA,10V | |
| トランジション周波数(fT) | - | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 2V@50mA,5mA | |
| トランジスタタイプ | PNP |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $89.7856 | $ 89.7856 |
| 200+ | $34.7467 | $ 6949.3400 |
| 500+ | $33.5260 | $ 16763.0000 |
| 1000+ | $32.9225 | $ 32922.5000 |
