RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1,419.0470 | $ 1419.0470 |
| 200+ | $566.2101 | $ 113242.0200 |
| 500+ | $547.2890 | $ 273644.5000 |
| 1000+ | $537.9400 | $ 537940.0000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | 10A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 100W | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 80V | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 900mV@500µA,5mA | |
| トランジスタタイプ | PNP |
RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1,419.0470 | $ 1419.0470 |
| 200+ | $566.2101 | $ 113242.0200 |
| 500+ | $547.2890 | $ 273644.5000 |
| 1000+ | $537.9400 | $ 537940.0000 |
