RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $91.6134 | $ 91.6134 |
| 200+ | $36.5544 | $ 7310.8800 |
| 500+ | $35.3328 | $ 17666.4000 |
| 1000+ | $34.7299 | $ 34729.9000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 600mW | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 400nA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 15V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 40@10mA,1V | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 450mV@10mA,100mA | |
| トランジスタタイプ | NPN |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $91.6134 | $ 91.6134 |
| 200+ | $36.5544 | $ 7310.8800 |
| 500+ | $35.3328 | $ 17666.4000 |
| 1000+ | $34.7299 | $ 34729.9000 |
