| メーカー | |
| メーカー部品番号 | 2N3838/TR |
| EBEE部品番号 | E83198385 |
| パッケージ | Flatpack-6 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 40V 350mW 100@150mA,10V 600mA NPN+PNP Flatpack-6 Bipolar (BJT) ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $149.4911 | $ 149.4911 |
| 200+ | $57.8514 | $ 11570.2800 |
| 500+ | $55.8179 | $ 27908.9500 |
| 1000+ | $54.8136 | $ 54813.6000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar Transistor Arrays | |
| データシート | MICROCHIP 2N3838/TR | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | 600mA | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 350mW | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 10uA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 40V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| トランジション周波数(fT) | - | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 400mV@150mA,15mA | |
| トランジスタタイプ | NPN+PNP |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $149.4911 | $ 149.4911 |
| 200+ | $57.8514 | $ 11570.2800 |
| 500+ | $55.8179 | $ 27908.9500 |
| 1000+ | $54.8136 | $ 54813.6000 |
