| メーカー | |
| メーカー部品番号 | 2N3749 |
| EBEE部品番号 | E83200693 |
| パッケージ | TO-111 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 80V 2W 40@1A,2V 5A NPN TO-111 Bipolar (BJT) ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $385.4852 | $ 385.4852 |
| 200+ | $149.1789 | $ 29835.7800 |
| 500+ | $143.9355 | $ 71967.7500 |
| 1000+ | $141.3449 | $ 141344.9000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| データシート | MICROCHIP 2N3749 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | 5A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 2W | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 20uA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 80V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 40@1A,2V | |
| トランジション周波数(fT) | - | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 1.5V@5A,500mA | |
| トランジスタタイプ | NPN |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $385.4852 | $ 385.4852 |
| 200+ | $149.1789 | $ 29835.7800 |
| 500+ | $143.9355 | $ 71967.7500 |
| 1000+ | $141.3449 | $ 141344.9000 |
