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Microchip Tech 2N3501E3
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | 2N3501E3 |
| EBEE部品番号 | E83201258 |
| パッケージ | TO-39(TO-205AD) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 150V 500mW 100@150mA,10V 300mA NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $40.7460 | $ 40.7460 |
| 200+ | $15.7693 | $ 3153.8600 |
| 500+ | $15.2139 | $ 7606.9500 |
| 1000+ | $14.9407 | $ 14940.7000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| データシート | MICROCHIP 2N3501E3 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | 300mA | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 500mW | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 10uA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 150V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| トランジション周波数(fT) | - | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 400mV@150mA,15mA | |
| トランジスタタイプ | NPN |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $40.7460 | $ 40.7460 |
| 200+ | $15.7693 | $ 3153.8600 |
| 500+ | $15.2139 | $ 7606.9500 |
| 1000+ | $14.9407 | $ 14940.7000 |
