| メーカー | |
| メーカー部品番号 | 2N3439U4 |
| EBEE部品番号 | E83202196 |
| パッケージ | SMD-3P |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 350V 800mW 40@20mA,10V 1A NPN SMD-3P Bipolar (BJT) ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $707.5828 | $ 707.5828 |
| 200+ | $273.8264 | $ 54765.2800 |
| 500+ | $264.2019 | $ 132100.9500 |
| 1000+ | $259.4483 | $ 259448.3000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| データシート | MICROCHIP 2N3439U4 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | 1A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 800mW | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 2uA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 350V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 40@20mA,10V | |
| トランジション周波数(fT) | - | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 500mV@50mA,4mA | |
| トランジスタタイプ | NPN |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $707.5828 | $ 707.5828 |
| 200+ | $273.8264 | $ 54765.2800 |
| 500+ | $264.2019 | $ 132100.9500 |
| 1000+ | $259.4483 | $ 259448.3000 |
