RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $104.5753 | $ 104.5753 |
| 200+ | $41.7269 | $ 8345.3800 |
| 500+ | $40.3327 | $ 20166.3500 |
| 1000+ | $39.6443 | $ 39644.3000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | 50mA | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 360mW | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 2nA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 60V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 250@1mA,5V | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 300mV@100µA,1mA | |
| トランジスタタイプ | NPN |
RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $104.5753 | $ 104.5753 |
| 200+ | $41.7269 | $ 8345.3800 |
| 500+ | $40.3327 | $ 20166.3500 |
| 1000+ | $39.6443 | $ 39644.3000 |
