| メーカー | |
| メーカー部品番号 | 2N2219AE4 |
| EBEE部品番号 | E86803356 |
| パッケージ | TO-39(TO-205AD) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 50V 800mW 100@150mA,10V 800mA NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $31.3449 | $ 31.3449 |
| 200+ | $12.5083 | $ 2501.6600 |
| 500+ | $12.0901 | $ 6045.0500 |
| 1000+ | $11.8827 | $ 11882.7000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| データシート | MICROCHIP 2N2219AE4 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | 800mA | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 800mW | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 10nA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 50V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 1V@50mA,500mA | |
| トランジスタタイプ | NPN |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $31.3449 | $ 31.3449 |
| 200+ | $12.5083 | $ 2501.6600 |
| 500+ | $12.0901 | $ 6045.0500 |
| 1000+ | $11.8827 | $ 11882.7000 |
