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MDD(Microdiode Semiconductor) D882-GR
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | D882-GR |
| EBEE部品番号 | E83200459 |
| パッケージ | SOT-89-3L |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 30V 500mW 160@1A,2V 300mA NPN SOT-89-3L Bipolar (BJT) ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9583 | $ 0.9583 |
| 200+ | $0.3709 | $ 74.1800 |
| 500+ | $0.3585 | $ 179.2500 |
| 1000+ | $0.3514 | $ 351.4000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| データシート | MDD(Microdiode Semiconductor) D882-GR | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | - | |
| コレクター電流(Ic) | 300mA | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 500mW | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 1uA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 30V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 160@1A,2V | |
| トランジション周波数(fT) | 90MHz | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 300mV@2A,200mA | |
| トランジスタタイプ | NPN |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9583 | $ 0.9583 |
| 200+ | $0.3709 | $ 74.1800 |
| 500+ | $0.3585 | $ 179.2500 |
| 1000+ | $0.3514 | $ 351.4000 |
