| メーカー | |
| メーカー部品番号 | BC856S |
| EBEE部品番号 | E87544884 |
| パッケージ | SOT-363 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 65V 200mW 110@2mA,5V 100mA PNP SOT-363 Bipolar (BJT) ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0319 | $ 0.6380 |
| 200+ | $0.0248 | $ 4.9600 |
| 600+ | $0.0209 | $ 12.5400 |
| 3000+ | $0.0186 | $ 55.8000 |
| 9000+ | $0.0166 | $ 149.4000 |
| 21000+ | $0.0155 | $ 325.5000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| データシート | LGE BC856S | |
| RoHS | ||
| タイプ | PNP | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 65V | |
| Current - Collector(Ic) | 100mA | |
| Number | 2 PNP | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| DC Current Gain | 475 | |
| Emitter-Base Voltage(Vebo) | 5V | |
| Current - Collector Cutoff | 15nA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | - | |
| Transition frequency(fT) | 250MHz |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0319 | $ 0.6380 |
| 200+ | $0.0248 | $ 4.9600 |
| 600+ | $0.0209 | $ 12.5400 |
| 3000+ | $0.0186 | $ 55.8000 |
| 9000+ | $0.0166 | $ 149.4000 |
| 21000+ | $0.0155 | $ 325.5000 |
