| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IS34ML01G081-BLI |
| EBEE部品番号 | E81348840 |
| パッケージ | VFBGA-63(9x11) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | 3A991B1A |
| 説明 | 2.7V~3.6V 1Gbit VFBGA-63(9x11) NAND FLASH ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4777 | $ 4.4777 |
| 10+ | $3.8031 | $ 38.0310 |
| 30+ | $3.4015 | $ 102.0450 |
| 100+ | $2.9952 | $ 299.5200 |
| 500+ | $2.8079 | $ 1403.9500 |
| 1000+ | $2.7238 | $ 2723.8000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | メモリ ,ナンドフラッシュ | |
| データシート | ISSI(Integrated Silicon Solution) IS34ML01G081-BLI | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -40℃~+85℃ | |
| インタフェース | - | |
| 電圧 - 供給 | 2.7V~3.6V | |
| メモリサイズ | 1Gbit | |
| ページプログラミング時間(Tpp) | 400us | |
| Data Retention - TDR (Year) | 10 Years | |
| Standby Supply Current | 10uA | |
| Write Cycle Time(tWC) | 25ns | |
| Program / Erase Cycles | 100,000 cycles | |
| Block Erase Time(tBE) | 3ms |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4777 | $ 4.4777 |
| 10+ | $3.8031 | $ 38.0310 |
| 30+ | $3.4015 | $ 102.0450 |
| 100+ | $2.9952 | $ 299.5200 |
| 500+ | $2.8079 | $ 1403.9500 |
| 1000+ | $2.7238 | $ 2723.8000 |
