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Infineon/Cypress Semicon S34ML01G200BHI000
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | S34ML01G200BHI000 |
| EBEE部品番号 | E8117901 |
| パッケージ | BGA-63 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | 3A991B1A |
| 説明 | 2.7V~3.6V 1Gbit BGA-63 NAND FLASH ROHS |
この材料はカスタムケーブルをサポートしています！
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.5678 | $ 2.5678 |
| 10+ | $2.2073 | $ 22.0730 |
| 30+ | $1.9810 | $ 59.4300 |
| 210+ | $1.5495 | $ 325.3950 |
| 420+ | $1.4439 | $ 606.4380 |
| 1050+ | $1.3986 | $ 1468.5300 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | メモリ ,ナンドフラッシュ | |
| データシート | Infineon/Cypress Semicon S34ML01G200BHI000 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -40℃~+85℃ | |
| インタフェース | - | |
| 電圧 - 供給 | 2.7V~3.6V | |
| 時計の頻度 | - | |
| メモリサイズ | 1Gbit | |
| ページプログラミング時間(Tpp) | 300us | |
| Data Retention - TDR (Year) | 10 Years | |
| Write Cycle Time(tWC) | 25ns | |
| Program / Erase Cycles | 100,000 cycles | |
| Block Erase Time(tBE) | 3ms |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.5678 | $ 2.5678 |
| 10+ | $2.2073 | $ 22.0730 |
| 30+ | $1.9810 | $ 59.4300 |
| 210+ | $1.5495 | $ 325.3950 |
| 420+ | $1.4439 | $ 606.4380 |
| 1050+ | $1.3986 | $ 1468.5300 |
