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HXY MOSFET US1J


メーカー
メーカー部品番号
US1J
EBEE部品番号
E85199104
パッケージ
SMA
顧客番号
データシート
EDAモデル
ECCN
EAR99
説明
1.7V@1A 75ns Independent Type 1A 600V SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS
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700 在庫あり 即時出荷可能
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1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
数量単価合計価格
20+$0.0110$ 0.2200
200+$0.0089$ 1.7800
600+$0.0076$ 4.5600
2000+$0.0058$ 11.6000
10000+$0.0052$ 52.0000
20000+$0.0048$ 96.0000
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$
タイプ説明
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カテゴリDiodes ,Fast Recovery / High Efficiency Diodes
データシートHXY MOSFET US1J
RoHS
Reverse Leakage Current (Ir)5uA@600V
Diode ConfigurationIndependent
Reverse Recovery Time (trr)75ns
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600V
Voltage - Forward(Vf@If)1.7V@1A
Current - Rectified1A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current30A
Operating Junction Temperature Range-55℃~+150℃

ショッピングガイド

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