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HXY MOSFET US1G


メーカー
メーカー部品番号
US1G
EBEE部品番号
E85199105
パッケージ
SMA
顧客番号
データシート
EDAモデル
ECCN
EAR99
説明
1.3V@1A 50ns Independent Type 1A 400V SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS
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10520 在庫あり 即時出荷可能
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1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
数量単価合計価格
20+$0.0093$ 0.1860
200+$0.0073$ 1.4600
600+$0.0062$ 3.7200
2000+$0.0054$ 10.8000
10000+$0.0048$ 48.0000
20000+$0.0045$ 90.0000
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$
タイプ説明
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カテゴリDiodes ,Fast Recovery / High Efficiency Diodes
データシートHXY MOSFET US1G
RoHS
Reverse Leakage Current (Ir)5uA@400V
Diode ConfigurationIndependent
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)400V
Voltage - Forward(Vf@If)1.3V@1A
Current - Rectified1A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current30A
Operating Junction Temperature Range-55℃~+150℃

ショッピングガイド

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