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HXY MOSFET HUMH9NTN


メーカー
メーカー部品番号
HUMH9NTN
EBEE部品番号
E822461935
パッケージ
SOT-363
顧客番号
データシート
EDAモデル
ECCN
-
説明
2 NPN-Pre-Biased 150mW 100mA SOT-363 Digital Transistors ROHS
この材料はカスタムケーブルをサポートしています!
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190 在庫あり 即時出荷可能
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1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
数量単価合計価格
10+$0.0489$ 0.4890
100+$0.0386$ 3.8600
300+$0.0335$ 10.0500
3000+$0.0297$ 89.1000
6000+$0.0266$ 159.6000
9000+$0.0251$ 225.9000
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タイプ説明
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カテゴリTransistors/Thyristors ,Digital Transistors
データシートHXY MOSFET HUMH9NTN
RoHS
Operating Temperature-55℃~+150℃
TypeNPN
Input Resistor13kΩ
Resistor Ratio5.7
Current - Collector(Ic)100mA
Number2 NPN (Pre-Biased)
Pd - Power Dissipation150mW
DC Current Gain68
Transition frequency(fT)250MHz
Output Voltage(VO(on))300mV

ショッピングガイド

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