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HXY MOSFET HMMUN2233LT1G


メーカー
メーカー部品番号
HMMUN2233LT1G
EBEE部品番号
E822396410
パッケージ
SOT-23
顧客番号
データシート
EDAモデル
ECCN
-
説明
1 NPN - bias preset 246mW 100mA 50V SOT-23 Digital Transistors ROHS
この材料はカスタムケーブルをサポートしています!
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2150 在庫あり 即時出荷可能
2150 即時出荷可能
1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
数量単価合計価格
50+$0.0180$ 0.9000
500+$0.0140$ 7.0000
3000+$0.0118$ 35.4000
6000+$0.0105$ 63.0000
24000+$0.0094$ 225.6000
51000+$0.0087$ 443.7000
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$
タイプ説明
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カテゴリTransistors/Thyristors ,Digital Transistors
データシートHXY MOSFET HMMUN2233LT1G
RoHS
Operating Temperature-55℃~+150℃
TypeNPN
Input Resistor4.7kΩ
Resistor Ratio0.1
Collector - Emitter Voltage VCEO50V
Current - Collector(Ic)100mA
Number1 NPN (Pre-Biased)
Pd - Power Dissipation200mW
DC Current Gain200
Current - Collector Cutoff100nA
Vce Saturation(VCE(sat))250mV

ショッピングガイド

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