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HXY MOSFET 1N5819WS


メーカー
メーカー部品番号
1N5819WS
EBEE部品番号
E85451629
パッケージ
SOD-323
顧客番号
データシート
EDAモデル
ECCN
-
説明
40V Independent Type 350mA 600mV@200mA SOD-323 Schottky Diodes ROHS
この材料はカスタムケーブルをサポートしています!
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614550 在庫あり 即時出荷可能
614550 即時出荷可能
1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
数量単価合計価格
50+$0.0091$ 0.4550
500+$0.0074$ 3.7000
3000+$0.0058$ 17.4000
6000+$0.0053$ 31.8000
24000+$0.0048$ 115.2000
51000+$0.0045$ 229.5000
数量が多い場合の最良価格?
$
タイプ説明
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カテゴリダイオード ,ショットキーダイオード
データシートHXY MOSFET 1N5819WS
RoHS
逆の漏出流れ(Ir)5uA@30V
ダイオード構成Independent
電圧 - DC 逆(Vr)(最大)40V
Voltage - Forward(Vf@If)600mV@200mA
Current - Rectified350mA
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current2A
Operating Junction Temperature Range-40℃~+125℃

ショッピングガイド

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