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HTCSEMI HT65NF06ATZ
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | HT65NF06ATZ |
| EBEE部品番号 | E82874952 |
| パッケージ | TO-220AB-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 60V 65A 15mΩ@10V,25A 120W 4V@250uA 1 N-channel TO-220AB-3 MOSFETs ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4918 | $ 0.4918 |
| 10+ | $0.3778 | $ 3.7780 |
| 50+ | $0.3294 | $ 16.4700 |
| 100+ | $0.2685 | $ 26.8500 |
| 500+ | $0.2420 | $ 121.0000 |
| 1000+ | $0.2248 | $ 224.8000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | HTCSEMI HT65NF06ATZ | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 15mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 90pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 120W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 65A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.365nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 600pF | |
| Gate Charge(Qg) | 42nC@10V |
ショッピングガイド
展開
59 Stock for Shipping Fast
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4918 | $ 0.4918 |
| 10+ | $0.3778 | $ 3.7780 |
| 50+ | $0.3294 | $ 16.4700 |
| 100+ | $0.2685 | $ 26.8500 |
| 500+ | $0.2420 | $ 121.0000 |
| 1000+ | $0.2248 | $ 224.8000 |
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