| メーカー | |
| メーカー部品番号 | BRCS80N03DP |
| EBEE部品番号 | E8914064 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 30V 80A 7mΩ@4.5V 90W 1.7V@250uA 1 N-Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1052 | $ 0.5260 |
| 50+ | $0.0933 | $ 4.6650 |
| 150+ | $0.0874 | $ 13.1100 |
| 500+ | $0.0829 | $ 41.4500 |
| 2500+ | $0.0793 | $ 198.2500 |
| 5000+ | $0.0775 | $ 387.5000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | Foshan Blue Rocket Elec BRCS80N03DP | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 7mΩ@4.5V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 90W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | - |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1052 | $ 0.5260 |
| 50+ | $0.0933 | $ 4.6650 |
| 150+ | $0.0874 | $ 13.1100 |
| 500+ | $0.0829 | $ 41.4500 |
| 2500+ | $0.0793 | $ 198.2500 |
| 5000+ | $0.0775 | $ 387.5000 |
