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| メーカー | |
| メーカー部品番号 | E40P100KC |
| EBEE部品番号 | E829781154 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 100V 40A 45mΩ@10V,15A 102W 1.2V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2934 | $ 0.2934 |
| 10+ | $0.2356 | $ 2.3560 |
| 30+ | $0.2101 | $ 6.3030 |
| 100+ | $0.1790 | $ 17.9000 |
| 500+ | $0.1656 | $ 82.8000 |
| 1000+ | $0.1567 | $ 156.7000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | Existar E40P100KC | |
| RoHS | ||
| タイプ | P-Channel | |
| RDS(オン) | 45mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 50pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 102W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 40A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.3nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 220pF | |
| Gate Charge(Qg) | 98nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2934 | $ 0.2934 |
| 10+ | $0.2356 | $ 2.3560 |
| 30+ | $0.2101 | $ 6.3030 |
| 100+ | $0.1790 | $ 17.9000 |
| 500+ | $0.1656 | $ 82.8000 |
| 1000+ | $0.1567 | $ 156.7000 |
