| メーカー | |
| メーカー部品番号 | DP6B20KC |
| EBEE部品番号 | E82931708 |
| パッケージ | SOT-883-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 20V 600mA 300mW 510mΩ@4.5V,0.5A 0.35V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-883-3 MOSFETs ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0264 | $ 0.5280 |
| 200+ | $0.0206 | $ 4.1200 |
| 600+ | $0.0174 | $ 10.4400 |
| 2000+ | $0.0154 | $ 30.8000 |
| 10000+ | $0.0123 | $ 123.0000 |
| 20000+ | $0.0115 | $ 230.0000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | Doeshare DP6B20KC | |
| RoHS | ||
| タイプ | P-Channel | |
| RDS(オン) | 800mΩ@2.5V | |
| 動作温度 - | -40℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 4.2pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 480mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 600mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 39pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 6.4pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0264 | $ 0.5280 |
| 200+ | $0.0206 | $ 4.1200 |
| 600+ | $0.0174 | $ 10.4400 |
| 2000+ | $0.0154 | $ 30.8000 |
| 10000+ | $0.0123 | $ 123.0000 |
| 20000+ | $0.0115 | $ 230.0000 |
