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Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD112010DQG2
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | YJD112010DQG2 |
| Codice Parte EBEE | E820605590 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-252 SiC Diodes ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Diodi di SiC | |
| Scheda Tecnica | Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD112010DQG2 | |
| RoHS | ||
| Corrente di perdita inversa (Ir) | 13uA@1200V | |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.54V@10A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 85A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
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