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Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD112010DG1
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | YJD112010DG1 |
| Codice Parte EBEE | E82908532 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 1.2kV 1.47V@10A Independent Type 33A TO-252 SiC Diodes ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.7421 | $ 5.7421 |
| 10+ | $5.0590 | $ 50.5900 |
| 30+ | $4.6437 | $ 139.3110 |
| 100+ | $4.2941 | $ 429.4100 |
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Specifiche
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Diodi di SiC | |
| Scheda Tecnica | Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD112010DG1 | |
| RoHS | ||
| Corrente di perdita inversa (Ir) | [email protected] | |
| Tensione inversa (Vr) | 1.2kV | |
| Configurazione del Diodo | Independent Type | |
| Tensione in avanti (Vf-If) | 1.47V@10A | |
| Corrente rettificata (Io) | 33A |
Guida all’acquisto
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| 30+ | $4.6437 | $ 139.3110 |
| 100+ | $4.2941 | $ 429.4100 |
