| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | YJD106510DQG2 |
| Codice Parte EBEE | E820605567 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-252 SiC Diodes ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3064 | $ 1.3064 |
| 10+ | $1.1020 | $ 11.0200 |
| 30+ | $0.9836 | $ 29.5080 |
| 100+ | $0.8515 | $ 85.1500 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Diodi di SiC | |
| Scheda Tecnica | Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD106510DQG2 | |
| RoHS | ||
| Corrente di perdita inversa (Ir) | 25uA@650V | |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.55V@10A | |
| Current - Rectified | 30A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 80A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3064 | $ 1.3064 |
| 10+ | $1.1020 | $ 11.0200 |
| 30+ | $0.9836 | $ 29.5080 |
| 100+ | $0.8515 | $ 85.1500 |
