| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 3DD13003E1D-BD |
| Codice Parte EBEE | E8176705 |
| Confezione | TO-92-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 400V 800mW 15@200mA,5V 1.3A NPN+PNP TO-92-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0797 | $ 0.3985 |
| 50+ | $0.0646 | $ 3.2300 |
| 150+ | $0.0570 | $ 8.5500 |
| 500+ | $0.0514 | $ 25.7000 |
| 2000+ | $0.0469 | $ 93.8000 |
| 4000+ | $0.0446 | $ 178.4000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,Bipolare (BJT) | |
| Scheda Tecnica | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics 3DD13003E1D-BD | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | - | |
| Corrente del collettore (Ic) | 1.3A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 800mW | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 100uA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 400V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 15@200mA,5V | |
| Frequenza di transizione (fT) | 5MHz | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 400mV@500mA,100mA | |
| Tipo di transistor | NPN+PNP |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0797 | $ 0.3985 |
| 50+ | $0.0646 | $ 3.2300 |
| 150+ | $0.0570 | $ 8.5500 |
| 500+ | $0.0514 | $ 25.7000 |
| 2000+ | $0.0469 | $ 93.8000 |
| 4000+ | $0.0446 | $ 178.4000 |
