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WILLSEMI(Will Semicon) WSB5558N-2/TR
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | WSB5558N-2/TR |
| Codice Parte EBEE | E8240198 |
| Confezione | DFN1006-2L |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 30V Independent Type 450mV@100mA 100mA DFN1006-2L Schottky Diodes ROHS |
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| 10+ | $0.0463 | $ 0.4630 |
| 100+ | $0.0369 | $ 3.6900 |
| 300+ | $0.0322 | $ 9.6600 |
| 1000+ | $0.0287 | $ 28.7000 |
| 5000+ | $0.0258 | $ 129.0000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Diodi di Dio ,I Diodi di Schottky | |
| Scheda Tecnica | WILLSEMI(Will Semicon) WSB5558N-2/TR | |
| RoHS | ||
| Corrente di perdita inversa (Ir) | 30uA@30V | |
| Configurazione del Diodo | Independent | |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 450mV@100mA | |
| Current - Rectified | 100mA | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 1A |
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