| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | WNSC08650T6J |
| Codice Parte EBEE | E8602743 |
| Confezione | DFN-5(8x8) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V Independent Type 1.5V@8A 8A DFN-5(8x8) SiC Diodes ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.5535 | $ 5.5535 |
| 10+ | $4.7835 | $ 47.8350 |
| 30+ | $4.3239 | $ 129.7170 |
| 100+ | $3.8612 | $ 386.1200 |
| 500+ | $3.6476 | $ 1823.8000 |
| 1000+ | $3.5507 | $ 3550.7000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Diodi di SiC | |
| Scheda Tecnica | WeEn Semiconductors WNSC08650T6J | |
| RoHS | ||
| Corrente di perdita inversa (Ir) | 50uA@650V | |
| Configurazione del Diodo | Independent | |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V@8A | |
| Current - Rectified | 8A |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.5535 | $ 5.5535 |
| 10+ | $4.7835 | $ 47.8350 |
| 30+ | $4.3239 | $ 129.7170 |
| 100+ | $3.8612 | $ 386.1200 |
| 500+ | $3.6476 | $ 1823.8000 |
| 1000+ | $3.5507 | $ 3550.7000 |
