| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | NXPSC12650B6J |
| Codice Parte EBEE | E8602646 |
| Confezione | TO-263 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V Independent Type 1.5V@12A 12A D2PAK SiC Diodes ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $8.2557 | $ 8.2557 |
| 10+ | $7.9053 | $ 79.0530 |
| 30+ | $7.6901 | $ 230.7030 |
| 100+ | $7.5118 | $ 751.1800 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Diodi di SiC | |
| Scheda Tecnica | WeEn Semiconductors NXPSC12650B6J | |
| RoHS | ||
| Corrente di perdita inversa (Ir) | 80uA@650V | |
| Configurazione del Diodo | Independent | |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V@12A | |
| Current - Rectified | 12A |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $8.2557 | $ 8.2557 |
| 10+ | $7.9053 | $ 79.0530 |
| 30+ | $7.6901 | $ 230.7030 |
| 100+ | $7.5118 | $ 751.1800 |
