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WeEn Semiconductors NXPSC10650B6J
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | NXPSC10650B6J |
| Codice Parte EBEE | E8602663 |
| Confezione | TO-263 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V Independent Type 1.5V@10A 10A D2PAK SiC Diodes ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Diodi di SiC | |
| Scheda Tecnica | WeEn Semiconductors NXPSC10650B6J | |
| RoHS | ||
| Corrente di perdita inversa (Ir) | 250uA@650V | |
| Configurazione del Diodo | Independent | |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V@10A | |
| Current - Rectified | 10A |
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