| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | NXPSC08650D6J |
| Codice Parte EBEE | E8602666 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V Independent Type 1.5V@8A 8A TO-252 SiC Diodes ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3619 | $ 2.3619 |
| 10+ | $1.9685 | $ 19.6850 |
| 30+ | $1.7226 | $ 51.6780 |
| 100+ | $1.4706 | $ 147.0600 |
| 500+ | $1.3569 | $ 678.4500 |
| 1000+ | $1.3062 | $ 1306.2000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Diodi di SiC | |
| Scheda Tecnica | WeEn Semiconductors NXPSC08650D6J | |
| RoHS | ||
| Corrente di perdita inversa (Ir) | 230uA@650V | |
| Configurazione del Diodo | Independent | |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V@8A | |
| Current - Rectified | 8A |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3619 | $ 2.3619 |
| 10+ | $1.9685 | $ 19.6850 |
| 30+ | $1.7226 | $ 51.6780 |
| 100+ | $1.4706 | $ 147.0600 |
| 500+ | $1.3569 | $ 678.4500 |
| 1000+ | $1.3062 | $ 1306.2000 |
