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WeEn Semiconductors NXPSC08650D6J


Produttore
Codice Parte Mfr.
NXPSC08650D6J
Codice Parte EBEE
E8602666
Confezione
TO-252
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
650V Independent Type 1.5V@8A 8A TO-252 SiC Diodes ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
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In Magazzino : Si Prega di Richiedere

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Nome Contatto
Email Aziendale
Nome Azienda
Paese
Qualità
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$2.3619$ 2.3619
10+$1.9685$ 19.6850
30+$1.7226$ 51.6780
100+$1.4706$ 147.0600
500+$1.3569$ 678.4500
1000+$1.3062$ 1306.2000
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Diodi di SiC
Scheda TecnicaWeEn Semiconductors NXPSC08650D6J
RoHS
Corrente di perdita inversa (Ir)230uA@650V
Configurazione del DiodoIndependent
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)650V
Voltage - Forward(Vf@If)1.5V@8A
Current - Rectified8A

Guida all’acquisto

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