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WeEn Semiconductors NXPSC04650D6J
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | NXPSC04650D6J |
| Codice Parte EBEE | E8602664 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 1.5V@4A Independent Type 4A TO-252 SiC Diodes ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9461 | $ 0.9461 |
| 10+ | $0.9248 | $ 9.2480 |
| 30+ | $0.9107 | $ 27.3210 |
| 100+ | $0.8982 | $ 89.8200 |
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Specifiche
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Diodi di SiC | |
| Scheda Tecnica | WeEn Semiconductors NXPSC04650D6J | |
| RoHS | ||
| Corrente di perdita inversa (Ir) | 170uA@650V | |
| Tensione inversa (Vr) | 650V | |
| Configurazione del Diodo | Independent Type | |
| Tensione in avanti (Vf-If) | 1.5V@4A | |
| Corrente rettificata (Io) | 4A |
Guida all’acquisto
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| 100+ | $0.8982 | $ 89.8200 |
