| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | NXPSC04650B6J |
| Codice Parte EBEE | E8602660 |
| Confezione | D2PAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 1.5V@4A Independent Type 4A D2PAK SiC Diodes ROHS |
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3703 | $ 1.3703 |
| 10+ | $1.3402 | $ 13.4020 |
| 30+ | $1.3188 | $ 39.5640 |
| 100+ | $1.2994 | $ 129.9400 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Diodi di SiC | |
| Scheda Tecnica | WeEn Semiconductors NXPSC04650B6J | |
| RoHS | ||
| Corrente di perdita inversa (Ir) | 170uA@650V | |
| Tensione inversa (Vr) | 650V | |
| Configurazione del Diodo | Independent Type | |
| Tensione in avanti (Vf-If) | 1.5V@4A | |
| Corrente rettificata (Io) | 4A |
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3703 | $ 1.3703 |
| 10+ | $1.3402 | $ 13.4020 |
| 30+ | $1.3188 | $ 39.5640 |
| 100+ | $1.2994 | $ 129.9400 |
