| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SIRA10DP-T1-GE3 |
| Codice Parte EBEE | E8727555 |
| Confezione | PowerPAKSO-8 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 30V 25A 0.0037Ω@10V,25A 5W 1.1V@250uA 1 N-channel PowerPAK-SO-8 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5254 | $ 0.5254 |
| 10+ | $0.4621 | $ 4.6210 |
| 30+ | $0.4312 | $ 12.9360 |
| 100+ | $0.3987 | $ 39.8700 |
| 500+ | $0.3802 | $ 190.1000 |
| 1000+ | $0.3709 | $ 370.9000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VISHAY SIRA10DP-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 3.7mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 65pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 40W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.425nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 730pF | |
| Gate Charge(Qg) | 15.4nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5254 | $ 0.5254 |
| 10+ | $0.4621 | $ 4.6210 |
| 30+ | $0.4312 | $ 12.9360 |
| 100+ | $0.3987 | $ 39.8700 |
| 500+ | $0.3802 | $ 190.1000 |
| 1000+ | $0.3709 | $ 370.9000 |
