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Vishay Intertech SIRA10DP-T1-GE3


Produttore
Codice Parte Mfr.
SIRA10DP-T1-GE3
Codice Parte EBEE
E8727555
Confezione
PowerPAKSO-8
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
30V 25A 0.0037Ω@10V,25A 5W 1.1V@250uA 1 N-channel PowerPAK-SO-8 MOSFETs ROHS
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1000+$0.3709$ 370.9000
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TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Scheda TecnicaVISHAY SIRA10DP-T1-GE3
RoHS
Tipo di tipoN-Channel
RDS (on)3.7mΩ@10V
Temperatura di funzionamento --55℃~+150℃
Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds)65pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation40W
Drain to Source Voltage30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.1V
Current - Continuous Drain(Id)60A
Ciss-Input Capacitance2.425nF
Output Capacitance(Coss)730pF
Gate Charge(Qg)15.4nC@10V

Guida all’acquisto

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