| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SIHP186N60EF-GE3 |
| Codice Parte EBEE | E85900034 |
| Confezione | TO-220AB |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 600V 18A 193mΩ@10V,9.5A 156W 3V@250uA 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.1494 | $ 5.1494 |
| 200+ | $2.0554 | $ 411.0800 |
| 500+ | $1.9861 | $ 993.0500 |
| 1000+ | $1.9532 | $ 1953.2000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VISHAY SIHP186N60EF-GE3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 600V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 18A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 193mΩ@10V,9.5A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 156W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 3V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 52pF@100V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 1.081nF@100V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 32nC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.1494 | $ 5.1494 |
| 200+ | $2.0554 | $ 411.0800 |
| 500+ | $1.9861 | $ 993.0500 |
| 1000+ | $1.9532 | $ 1953.2000 |
