| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | FQD7P20TM |
| Codice Parte EBEE | E85250729 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 200V 10A 35W 900mΩ@10V,5A 4V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4485 | $ 0.4485 |
| 10+ | $0.3585 | $ 3.5850 |
| 30+ | $0.3213 | $ 9.6390 |
| 100+ | $0.2732 | $ 27.3200 |
| 500+ | $0.2142 | $ 107.1000 |
| 1000+ | $0.2002 | $ 200.2000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | Tokmas FQD7P20TM | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 900mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 55pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 35W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 960pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 180pF | |
| Gate Charge(Qg) | 36nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4485 | $ 0.4485 |
| 10+ | $0.3585 | $ 3.5850 |
| 30+ | $0.3213 | $ 9.6390 |
| 100+ | $0.2732 | $ 27.3200 |
| 500+ | $0.2142 | $ 107.1000 |
| 1000+ | $0.2002 | $ 200.2000 |
