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Techcode Semicon TDM3412


Produttore
Codice Parte Mfr.
TDM3412
Codice Parte EBEE
E8179164
Confezione
DFN-8-EP(3x3)
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
None
Descrizione
30V 18A 20W 10.8mΩ@10V,10A 2.5V@250uA 2 N-Channel DFN-8-EP(3x3) MOSFETs ROHS
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Qualità
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$0.3141$ 0.3141
10+$0.2456$ 2.4560
30+$0.2163$ 6.4890
100+$0.1797$ 17.9700
600+$0.1634$ 98.0400
1200+$0.1536$ 184.3200
1800+$0.1516$ 272.8800
4200+$0.1502$ 630.8400
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Scheda TecnicaTechcode TDM3412
RoHS
Tipo di tipoN-Channel
La configurazioneHalf-Bridge
RDS (on)17.5mΩ@4.5V
Temperatura di funzionamento --
Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds)22pF
Number2 N-Channel
Pd - Power Dissipation20W
Drain to Source Voltage30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.5V
Current - Continuous Drain(Id)18A
Ciss-Input Capacitance600pF
Output Capacitance(Coss)318pF
Gate Charge(Qg)12nC@10V

Guida all’acquisto

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