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SUPSiC GC4D20120H
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | GC4D20120H |
| Codice Parte EBEE | E87435089 |
| Confezione | TO-247-2 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 1.2kV 1.5V 54A TO-247-2 SiC Diodes ROHS |
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| 10+ | $2.3389 | $ 23.3890 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Diodi di SiC | |
| Scheda Tecnica | SUPSiC GC4D20120H | |
| RoHS | ||
| Corrente di perdita inversa (Ir) | 200uA@1200V | |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V | |
| Current - Rectified | 54A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 130A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
Guida all’acquisto
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