| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | GC4D20120A |
| Codice Parte EBEE | E87435079 |
| Confezione | TO-220-2 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 1.2kV 1.5V 54.5A TO-220-2 SiC Diodes ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6229 | $ 2.6229 |
| 10+ | $2.2879 | $ 22.8790 |
| 50+ | $1.9450 | $ 97.2500 |
| 100+ | $1.7306 | $ 173.0600 |
| 500+ | $1.6338 | $ 816.9000 |
| 1000+ | $1.5909 | $ 1590.9000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Diodi di SiC | |
| Scheda Tecnica | SUPSiC GC4D20120A | |
| RoHS | ||
| Corrente di perdita inversa (Ir) | 200uA@1200V | |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V | |
| Current - Rectified | 54.5A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 130A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6229 | $ 2.6229 |
| 10+ | $2.2879 | $ 22.8790 |
| 50+ | $1.9450 | $ 97.2500 |
| 100+ | $1.7306 | $ 173.0600 |
| 500+ | $1.6338 | $ 816.9000 |
| 1000+ | $1.5909 | $ 1590.9000 |
