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SUPSiC GC3D10065H
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | GC3D10065H |
| Codice Parte EBEE | E821547380 |
| Confezione | TO-247-2 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 650V 1.5V 30A TO-247-2 SiC Diodes ROHS |
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| 1+ | $1.6592 | $ 1.6592 |
| 10+ | $1.3972 | $ 13.9720 |
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| 90+ | $1.0892 | $ 98.0280 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Diodi di SiC | |
| Scheda Tecnica | SUPSiC GC3D10065H | |
| RoHS | ||
| Corrente di perdita inversa (Ir) | 60uA@650V | |
| Configurazione del Diodo | - | |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V | |
| Current - Rectified | 30A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 90A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
Guida all’acquisto
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