| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STS8DN3LLH5 |
| Codice Parte EBEE | E82970954 |
| Confezione | SOIC-8 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 30V 10A 0.019Ω@10V,5A 2.7W 1V@250uA 2 N-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5182 | $ 0.5182 |
| 10+ | $0.5093 | $ 5.0930 |
| 30+ | $0.5022 | $ 15.0660 |
| 100+ | $0.4951 | $ 49.5100 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Scheda Tecnica | ST STS8DN3LLH5 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 2 N-Channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 30V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 10A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.019Ω@10V,5A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 2.7W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 1V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 21pF@25V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 724pF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 5.4nC@15V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5182 | $ 0.5182 |
| 10+ | $0.5093 | $ 5.0930 |
| 30+ | $0.5022 | $ 15.0660 |
| 100+ | $0.4951 | $ 49.5100 |
